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德国投入330万欧元用于开发氮化铝(ALN)半导体衬底技术
2019年12月11日 发布 分类:行业要闻 点击量:1443
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日前,据柏林费迪南德-布朗恩高频技术研究所(FBH)消息,德国联邦教育和研究部将在2023年之前出资330万欧元,用于推动由FBH领导并集合了包括弗劳恩霍夫(Fraunhofer)等研究机构和高校在内参与的“基于氮化铝的功率晶体管” 联合项目。

 

早期项目的氮化铝缓冲开关晶体管

该项目旨在开发氮化铝ALN作为新的半导体材料,包括对其进行测试和完成系统应用集成等在内的工作。而开展这项研究的初衷则是提升资源利用效率。据相关统计数据显示,仅在欧洲,由于数据系统越来越多的应用,电能转换过程中的损耗每年超过3万亿瓦时。因此,能源高效转换成为人工智能和工业4.0等第四次工业革命成功的关键。实现这一点的先决条件是高功率半导体。

功率损耗由相应材料决定。基于较为成熟的氮化镓技术,与目前通用的半导体衬底材料碳化硅、蓝宝石、硅片相比,氮化铝的相关研究非常少。但是它本身具有一极高的击穿强度和热导率,理论传导损耗比硅小10000倍,位错密度比碳化硅低5个数量级,这些潜力也给该项研究提供了足够理由。

整个价值链包括从氮化铝晶圆再到毫米波系统和电子电力系统,其中FBH主要负责氮化铝元件设计和开发;弗劳恩霍夫负责氮化铝晶体生长和晶圆制备;其余参与者还有勃兰登堡理工大学、柏林理工大学、弗里德里希亚历山大大学纽伦堡分校等等。

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